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Substrats en céramique de nitrure de silicium à haute conductivité thermique améliorant la dissipation de chaleur pour les VE et les modules IGBT

2025-02-02
Latest company news about Substrats en céramique de nitrure de silicium à haute conductivité thermique améliorant la dissipation de chaleur pour les VE et les modules IGBT

Avec le développement rapide des véhicules électriques (VE), des chemins de fer à grande vitesse et des nouveaux systèmes de charge énergétique, la gestion thermique des appareils de puissance est devenue un facteur essentiel de fiabilité du système. The high thermal conductivity silicon nitride (Si₃N₄) ceramic substrate has emerged as a key material for advanced packaging and heat dissipation in third-generation semiconductor devices such as IGBTs, les MOSFET et les modules SiC.

Fabriqué à partir de poudre de nitrure de silicium de haute pureté, le substrat est frité à des températures supérieures à 2000 °C selon une formule exclusive et un procédé de pressage à chaud.Il atteint une conductivité thermique supérieure à 80 W/m·K tout en conservant une excellente isolation électriqueComparé à l'alumine et au nitrure d'aluminium, les céramiques Si3N4 offrent une ténacité et une résistance aux chocs thermiques supérieures.assurer une durée de vie plus longue des appareils et une plus grande stabilité du système.

Dans les modules d'entraînement des moteurs de véhicules électriques, les onduleurs, les convertisseurs CC/CC et les stations de recharge rapide, le substrat céramique Si3N4 réduit efficacement la température de jonction et améliore l'efficacité de la dissipation de chaleur.Sa résistance exceptionnelle à la fracture et sa résistance au cycle thermique le rendent idéal pour des conditions difficiles telles que les véhicules hybrides et les systèmes d'alimentation ferroviaire.

Au-delà de l'industrie des véhicules électriques, les substrats de nitrure de silicium sont également utilisés dans les systèmes de traction ferroviaire, les modules de contrôle électronique de puissance, les onduleurs industriels et les onduleurs solaires.Avec leur combinaison de haute conductivité thermiqueLes substrats Si3N4 sont en train de redéfinir l'avenir des emballages électroniques de puissance et de la gestion thermique.