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Les substrats Si3N4 améliorent les conceptions OBC, combinant une faible perte diélectrique avec une charge rapide 3C

2026-01-12

Les chargeurs embarqués (OBC) évoluent vers une densité de puissance plus élevée et une fréquence de commutation plus élevée tout en répondant aux exigences strictes en matière d'efficacité et de taille de la charge rapide 3C.

Les substrats Si3N4 ont une constante diélectrique d'environ 7,5 et une faible perte diélectrique, ce qui réduit le retard du signal et la perte d'énergie dans les stades à haute fréquence.,Ils aident à maintenir la température des cellules sous contrôle pendant la charge rapide à 3°C tout en maintenant la fiabilité du paquet.

Cela permet aux OEM d'intégrer des OBC de plus grande puissance dans un espace limité sous le capot et d'obtenir une recharge plus rapide sans plus grande taille ni durée de vie réduite.

Pour les marques qui positionnent l'expérience de charge rapide comme un point de vente clé,le traitement des substrats Si3N4 comme composant de base de la plateforme plutôt que comme add-on facultatif permet d'obtenir un avantage technique durable.

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Les substrats Si3N4 améliorent les conceptions OBC, combinant une faible perte diélectrique avec une charge rapide 3C

Les chargeurs embarqués (OBC) évoluent vers une densité de puissance plus élevée et une fréquence de commutation plus élevée tout en répondant aux exigences strictes en matière d'efficacité et de taille de la charge rapide 3C.

Cela permet aux OEM d'intégrer des OBC de plus grande puissance dans un espace limité sous le capot et d'obtenir une recharge plus rapide sans plus grande taille ni durée de vie réduite.

Pour les marques qui positionnent l'expérience de charge rapide comme un point de vente clé,le traitement des substrats Si3N4 comme composant de base de la plateforme plutôt que comme add-on facultatif permet d'obtenir un avantage technique durable.

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