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Actualités de l'entreprise concernant Solving Heat Dissipation Challenges — High Thermal Conductivity Silicon Nitride Substrates for IGBT Modules
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Solving Heat Dissipation Challenges — High Thermal Conductivity Silicon Nitride Substrates for IGBT Modules

2025-11-12
Latest company news about Solving Heat Dissipation Challenges — High Thermal Conductivity Silicon Nitride Substrates for IGBT Modules

In modern electric vehicles, railway traction, and industrial drives, IGBT power modules often suffer from overheating, delamination, and fatigue failure due to high thermal loads. Traditional alumina or aluminum nitride substrates cannot balance thermal conductivity and mechanical toughness, leading to reduced service life.
The High Thermal Conductivity Silicon Nitride Ceramic Substrate provides an optimal solution with a thermal conductivity of 90–100 W/m·K, flexural strength above 600 MPa, and a thermal expansion coefficient of 2.8–3.2×10⁻⁶/K, perfectly matching silicon chips to minimize thermal stress.

It also features excellent electrical insulation (>20 kV/mm) and low dielectric loss (<0.001), ensuring safe operation at high voltage and frequency. By adopting DBC or AMB metallization, Si₃N₄ substrates achieve efficient bonding with copper, optimizing heat dissipation and reliability.
In IGBT and SiC power modules, this substrate reduces junction temperature by 15–20°C and extends module lifetime by up to 3×, making it a preferred choice for EV power inverters, high-speed trains, renewable energy converters, and smart grids.
Si₃N₄ ceramics represent the next generation of power electronics packaging materials, delivering superior performance, durability, and energy efficiency under extreme thermal cycling.

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