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Résoudre les défis de la dissipation thermique — Substrats en nitrure de silicium à haute conductivité thermique pour les modules IGBT

2025-11-12
Latest company news about Résoudre les défis de la dissipation thermique — Substrats en nitrure de silicium à haute conductivité thermique pour les modules IGBT

Dans les véhicules électriques modernes, la traction ferroviaire et les entraînements industriels, les modules de puissance IGBT souffrent souvent de surchauffe, de délamination et de défaillance par fatigue en raison des charges thermiques élevées. Les substrats traditionnels en alumine ou en nitrure d'aluminium ne peuvent pas équilibrer la conductivité thermique et la ténacité mécanique, ce qui entraîne une durée de vie réduite.
Le substrat céramique en nitrure de silicium à haute conductivité thermique offre une solution optimale avec une conductivité thermique de 90 à 100 W/m·K, une résistance à la flexion supérieure à 600 MPa et un coefficient de dilatation thermique de 2,8 à 3,2×10⁻⁶/K, correspondant parfaitement aux puces de silicium pour minimiser les contraintes thermiques.

Il présente également une excellente isolation électrique (>20 kV/mm) et de faibles pertes diélectriques (<0,001), assurant un fonctionnement sûr à haute tension et haute fréquence. En adoptant une métallisation DBC ou AMB, les substrats Si₃N₄ permettent une liaison efficace avec le cuivre, optimisant la dissipation thermique et la fiabilité.
Dans les modules de puissance IGBT et SiC, ce substrat réduit la température de jonction de 15 à 20°C et prolonge la durée de vie du module jusqu'à 3×, ce qui en fait un choix privilégié pour les onduleurs de puissance des véhicules électriques, les trains à grande vitesse, les convertisseurs d'énergie renouvelable et les réseaux intelligents.
Les céramiques Si₃N₄ représentent la prochaine génération de matériaux d'emballage pour l'électronique de puissance, offrant des performances, une durabilité et une efficacité énergétique supérieures dans des conditions de cyclage thermique extrêmes.