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Actualités de l'entreprise concernant Si3N4SiC stack coupe les défaillances de l'interface de 800 V de 90%
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Si3N4SiC stack coupe les défaillances de l'interface de 800 V de 90%

2026-01-12
Latest company news about Si3N4SiC stack coupe les défaillances de l'interface de 800 V de 90%

Sur les plates-formes de 800 V, les appareils SiC fonctionnent à des températures élevées et à des dI/dt élevés, amplifiant considérablement la contrainte thermique aux interfaces des paquets et provoquant des pannes précoces du module de puissance.

Les substrats Si3N4 présentent un coefficient d'expansion thermique d'environ 3,2 × 10−6/°C, correspondant étroitement au SiC à ~ 4,0 × 10−6/°C.Les essais de cycle thermique montrent que le remplacement des substrats anciens par du Si3N4 réduit les défaillances de fissuration de la soudure et de délamination des interfaces d'environ 90%, ce qui prolonge considérablement la durée de vie du cycle de puissance.

Pour les marques de véhicules électriques qui utilisent des architectures 800 V, this CTE matching at the material level reduces the need for aggressive derating and allows engineers to unlock more power margin in the same package size while maintaining reliability over the vehicle warranty period.

Lors de la migration de 400 V à 800 V, il ne suffit pas de se concentrer uniquement sur les paramètres du dispositif SiC.fiabilité de l'interface et performance thermique évaluées ensemble.

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